中国功率半导体领域领路人陈星弼在蓉逝世_1

中国功率半导体领域领路人陈星弼在蓉逝世中新社成都12月4日电(记者贺劭清)记者4日晚从电子科技大学得悉,九三学社社员、我国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效,于当日17时10分在四川成都去世,享年89岁。陈星弼1931年1月28日出生于上海,本籍浙江浦江,1947年至1952年就读于同济大学电机系,先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)作业。1999年当选为

中国功率半导体领域领路人陈星弼在蓉逝世
中新社成都12月4日电 (记者 贺劭清) 记者4日晚从电子科技大学得悉,九三学社社员、我国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效,于当日17时10分在四川成都去世,享年89岁。陈星弼1931年1月28日出生于上海,本籍浙江浦江,1947年至1952年就读于同济大学电机系,先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)作业。1999年当选为我国科学院院士,2019年当选为世界电气与电子工程师协会终身会士(IEEELife Fellow)。陈星弼是我国功率半导体范畴的带路人和集大成者。他宣布超越200篇学术论文,取得中美等国专利授权40余项。他是世界上首个提出超结耐压层理论的科学家,他的超结发明专利打破传统“硅极限”,被世界学术界称为“高压功率器材新的里程碑”。该发明专利成功转让并完成产业化,现在超结器材全球年商场销售额超越10亿美元。陈星弼曾取得许多荣誉,包含我国国家发明奖及科技进步奖2项,省部级奖赏13项。陈星弼2015年取得IEEE ISPSD颁布的最高荣誉“世界功率半导体前驱奖”,成为亚太地区首位获此荣誉的科学家。陈星弼2018年当选IEEE ISPSD首届名人堂,成为首位当选名人堂的华人科学家。(完)

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